Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G1646E-BCK0

Samsung Semiconductor - K4B4G1646E-BCK0

KEY Part #: K7359699

[18472kpl varastossa]

    Osa numero:
    K4B4G1646E-BCK0
    Valmistaja:
    Samsung Semiconductor
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: LPDDR4X, HBM Flarebolt, GDDR5, LPDDR5, GDDR6, DDR3, MODULE and HBM Aquabolt ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G1646E-BCK0 electronic components. K4B4G1646E-BCK0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G1646E-BCK0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G1646E-BCK0 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : K4B4G1646E-BCK0
    Valmistaja : Samsung Semiconductor
    Kuvaus : 4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    Sarja : DDR3
    Tiheys : 4 Gb
    Org. : 512M x 8
    Nopeus : 1600 Mbps
    Jännite : 1.5 V
    Temp. : 0 ~ 85 °C
    Paketti : 96FBGA
    tuotteen tila : Mass Production

    Uusimmat uutiset

    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Exploring the Key Samsung Technologies That Enabled 10nm-Class DRAM
    Samsung’s Newest ISOCELL Image Sensor Enables Mobile Devices to ‘Slow Down’ Time
    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    Automotive Driven by Small Packages Under the Hood
    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    Inside the building blocks of the 5G future
    Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification
    How Will 5G Impact on Memory?
    Samsung Now Producing Industry’s Highest Density (3GB) LPDDR3 Mobile Memory for Smartphones
    Saatat myös olla kiinnostunut
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    Kuumat osat