Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G1646E-BCMA

Samsung Semiconductor - K4B4G1646E-BCMA

KEY Part #: K7359700

[15107kpl varastossa]

    Osa numero:
    K4B4G1646E-BCMA
    Valmistaja:
    Samsung Semiconductor
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: MODULE, SLC Nand, DDR4, GDDR6, HBM Flarebolt, LPDDR5, DDR3 and LPDDR3 ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G1646E-BCMA electronic components. K4B4G1646E-BCMA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G1646E-BCMA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G1646E-BCMA Tuoteominaisuudet

    Osa numero : K4B4G1646E-BCMA
    Valmistaja : Samsung Semiconductor
    Kuvaus : 4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    Sarja : DDR3
    Tiheys : 4 Gb
    Org. : 512M x 8
    Nopeus : 1866 Mbps
    Jännite : 1.5 V
    Temp. : 0 ~ 85 °C
    Paketti : 96FBGA
    tuotteen tila : Mass Production

    Uusimmat uutiset

    Samsung Memory Solutions for Automotive
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification
    Samsung Z-SSD SZ985
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    [Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.
    Saatat myös olla kiinnostunut
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    Kuumat osat