Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G0846D-BCNB

Samsung Semiconductor - K4B4G0846D-BCNB

KEY Part #: K7359670

[16363kpl varastossa]

    Osa numero:
    K4B4G0846D-BCNB
    Valmistaja:
    Samsung Semiconductor
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    4 Gb 512M x 8 2133 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: GDDR5, DDR3, LPDDR3, LPDDR4X, GDDR6, MODULE, LPDDR5 and DDR4 ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G0846D-BCNB electronic components. K4B4G0846D-BCNB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G0846D-BCNB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G0846D-BCNB Tuoteominaisuudet

    Osa numero : K4B4G0846D-BCNB
    Valmistaja : Samsung Semiconductor
    Kuvaus : 4 Gb 512M x 8 2133 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    Sarja : DDR3
    Tiheys : 4 Gb
    Org. : 512M x 8
    Nopeus : 2133 Mbps
    Jännite : 1.5 V
    Temp. : 0 ~ 85 °C
    Paketti : 78FBGA
    tuotteen tila : Mass Production

    Uusimmat uutiset

    Samsung Z-SSD SZ985
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    The future of NAND technology
    Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Samsung Electronics Introduces New High Bandwidth Memory Technology Tailored to Data Centers, Graphic Applications, and AI
    How Will 5G Impact on Memory?
    Samsung Now Producing Industry’s Highest Density (3GB) LPDDR3 Mobile Memory for Smartphones
    Saatat myös olla kiinnostunut
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    Kuumat osat