Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B1G0846I-BMMA

Samsung Semiconductor - K4B1G0846I-BMMA

KEY Part #: K7359635

[14414kpl varastossa]

    Osa numero:
    K4B1G0846I-BMMA
    Valmistaja:
    Samsung Semiconductor
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    1 Gb 128M x 8 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: DDR4, DDR3, GDDR6, LPDDR4X, MODULE, LPDDR3, LPDDR5 and LPDDR4 ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B1G0846I-BMMA electronic components. K4B1G0846I-BMMA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B1G0846I-BMMA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B1G0846I-BMMA Tuoteominaisuudet

    Osa numero : K4B1G0846I-BMMA
    Valmistaja : Samsung Semiconductor
    Kuvaus : 1 Gb 128M x 8 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
    Sarja : DDR3
    Tiheys : 1 Gb
    Org. : 128M x 8
    Nopeus : 1600 Mbps
    Jännite : 1.35 V
    Temp. : -40 ~ 95 °C
    Paketti : 78FBGA
    tuotteen tila : Mass Production

    Uusimmat uutiset

    Samsung Z-SSD SZ985
    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    How Will 5G Impact on Memory?
    Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day
    Unlocking the Power of Cloud Computing
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    The future of NAND technology
    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    Saatat myös olla kiinnostunut
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    Kuumat osat