Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G1646D-BCMA

Samsung Semiconductor - K4B4G1646D-BCMA

KEY Part #: K7359689

[16063kpl varastossa]

    Osa numero:
    K4B4G1646D-BCMA
    Valmistaja:
    Samsung Semiconductor
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    4 Gb 256M x 16 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: LPDDR4, LPDDR4X, DDR4, MODULE, DDR3, GDDR6, HBM Aquabolt and HBM Flarebolt ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G1646D-BCMA electronic components. K4B4G1646D-BCMA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G1646D-BCMA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G1646D-BCMA Tuoteominaisuudet

    Osa numero : K4B4G1646D-BCMA
    Valmistaja : Samsung Semiconductor
    Kuvaus : 4 Gb 256M x 16 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    Sarja : DDR3
    Tiheys : 4 Gb
    Org. : 256M x 16
    Nopeus : 1866 Mbps
    Jännite : 1.5 V
    Temp. : 0 ~ 85 °C
    Paketti : 96FBGA
    tuotteen tila : Mass Production

    Uusimmat uutiset

    Exploring the Key Samsung Technologies That Enabled 10nm-Class DRAM
    Samsung Now Producing Industry’s Highest Density (3GB) LPDDR3 Mobile Memory for Smartphones
    How Will 5G Impact on Memory?
    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    Samsung Electronics Introduces New High Bandwidth Memory Technology Tailored to Data Centers, Graphic Applications, and AI
    Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started
    Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology
    Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Samsung’s PM1733 SSD and High Density DIMMs Support AMD EPYC™ 7002 Series Processor
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    Saatat myös olla kiinnostunut
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    Kuumat osat