Samsung Semiconductor - K4A8G085WC-BCWE

KEY Part #: K7359603

[21766kpl varastossa]


    Osa numero:
    K4A8G085WC-BCWE
    Valmistaja:
    Samsung Semiconductor
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    8 Gb 1G x 8 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: HBM Aquabolt, MODULE, DDR3, LPDDR5, HBM Flarebolt, LPDDR4, LPDDR4X and SLC Nand ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4A8G085WC-BCWE electronic components. K4A8G085WC-BCWE can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4A8G085WC-BCWE, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4A8G085WC-BCWE Tuoteominaisuudet

    Osa numero : K4A8G085WC-BCWE
    Valmistaja : Samsung Semiconductor
    Kuvaus : 8 Gb 1G x 8 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    Sarja : DDR4
    Tiheys : 8 Gb
    Org. : 1G x 8
    Nopeus : 3200 Mbps
    Jännite : 1.2 V
    Temp. : 0 ~ 85 °C
    Paketti : 78FBGA
    tuotteen tila : Mass Production

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.