Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. DRAM
  4. DDR4
  5. K4A8G085WC-BITD

Samsung Semiconductor - K4A8G085WC-BITD

KEY Part #: K7359604

[23945kpl varastossa]

    Osa numero:
    K4A8G085WC-BITD
    Valmistaja:
    Samsung Semiconductor
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: LPDDR4, SLC Nand, HBM Flarebolt, LPDDR5, HBM Aquabolt, MODULE, GDDR5 and DDR3 ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4A8G085WC-BITD electronic components. K4A8G085WC-BITD can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4A8G085WC-BITD, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4A8G085WC-BITD Tuoteominaisuudet

    Osa numero : K4A8G085WC-BITD
    Valmistaja : Samsung Semiconductor
    Kuvaus : 8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
    Sarja : DDR4
    Tiheys : 8 Gb
    Org. : 1G x 8
    Nopeus : 2666 Mbps
    Jännite : 1.2 V
    Temp. : -40 ~ 95 °C
    Paketti : 78FBGA
    tuotteen tila : Mass Production

    Uusimmat uutiset

    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Speed for the next generation of mobile devices
    Automotive Driven by Small Packages Under the Hood
    Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing
    Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD
    Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere
    Saatat myös olla kiinnostunut
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

    Kuumat osat