Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. DRAM
  4. DDR4
  5. K4A8G165WB-BIWE

Samsung Semiconductor - K4A8G165WB-BIWE

KEY Part #: K7359612

[19714kpl varastossa]

    Osa numero:
    K4A8G165WB-BIWE
    Valmistaja:
    Samsung Semiconductor
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    8 Gb 512M x 16 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: LPDDR3, MODULE, LPDDR4X, SLC Nand, HBM Aquabolt, LPDDR4, GDDR5 and DDR3 ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4A8G165WB-BIWE electronic components. K4A8G165WB-BIWE can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4A8G165WB-BIWE, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4A8G165WB-BIWE Tuoteominaisuudet

    Osa numero : K4A8G165WB-BIWE
    Valmistaja : Samsung Semiconductor
    Kuvaus : 8 Gb 512M x 16 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
    Sarja : DDR4
    Tiheys : 8 Gb
    Org. : 512M x 16
    Nopeus : 3200 Mbps
    Jännite : 1.2 V
    Temp. : -40 ~ 95 °C
    Paketti : 96FBGA
    tuotteen tila : Mass Production

    Uusimmat uutiset

    Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD
    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    Samsung Now Producing Industry’s Highest Density (3GB) LPDDR3 Mobile Memory for Smartphones
    [Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.
    Samsung Z-SSD SZ985
    [Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions
    Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM
    The Ultra-Low Latency SSD, Z-SSD
    Samsung Memory Solutions for Automotive
    Saatat myös olla kiinnostunut
    • KHA844801X-MC12

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA844801X-MC13

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.4 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA844801X-MN12

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA844801X-MN13

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.4 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA884901X-MC12

      Samsung Semiconductor

      8 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA884901X-MC13

      Samsung Semiconductor

      8 Gb 1024 2.4 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    Kuumat osat