Samsung Semiconductor - K4ABG085WA-MCWE

KEY Part #: K7359629

[16719kpl varastossa]


    Osa numero:
    K4ABG085WA-MCWE
    Valmistaja:
    Samsung Semiconductor
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    32 Gb 4G x 8 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Sample.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: LPDDR5, GDDR6, HBM Aquabolt, MODULE, HBM Flarebolt, LPDDR3, LPDDR4 and SLC Nand ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4ABG085WA-MCWE electronic components. K4ABG085WA-MCWE can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4ABG085WA-MCWE, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4ABG085WA-MCWE Tuoteominaisuudet

    Osa numero : K4ABG085WA-MCWE
    Valmistaja : Samsung Semiconductor
    Kuvaus : 32 Gb 4G x 8 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Sample
    Sarja : DDR4
    Tiheys : 32 Gb
    Org. : 4G x 8
    Nopeus : 3200 Mbps
    Jännite : 1.2 V
    Temp. : 0 ~ 85 °C
    Paketti : 78FBGA
    tuotteen tila : Sample

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • KHA843801B-MC12

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA883901B-MC12

      Samsung Semiconductor

      8 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA844801X-MC12

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA844801X-MC13

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.4 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.