Samsung Semiconductor - K4A4G085WF-BITD

KEY Part #: K7359582

[15426kpl varastossa]


    Osa numero:
    K4A4G085WF-BITD
    Valmistaja:
    Samsung Semiconductor
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: SLC Nand, LPDDR5, HBM Aquabolt, LPDDR4X, MODULE, LPDDR4, GDDR5 and DDR3 ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4A4G085WF-BITD electronic components. K4A4G085WF-BITD can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4A4G085WF-BITD, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4A4G085WF-BITD Tuoteominaisuudet

    Osa numero : K4A4G085WF-BITD
    Valmistaja : Samsung Semiconductor
    Kuvaus : 4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample
    Sarja : DDR4
    Tiheys : 4 Gb
    Org. : 512M x 8
    Nopeus : 2666 Mbps
    Jännite : 1.2 V
    Temp. : -40 ~ 95 °C
    Paketti : 78FBGA
    tuotteen tila : Sample

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.