LS4151-GS18 Hinnoittelu (USD) [4453401kpl varastossa]
- 1 pcs$0.00876
- 10,000 pcs$0.00872
- Osa numero:
- LS4151-GS18
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 50V 300MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 150mA 2.0 Amp IFSM
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - JFET, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - IGBT - moduulit and Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division LS4151-GS18 electronic components. LS4151-GS18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for LS4151-GS18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
LS4151-GS18 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
LS4151-GS18
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 50V 300MA SOD80
Sarja :
Automotive, AEC-Q101
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
50V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
300mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1V @ 50mA
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
4ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
50nA @ 50V
Kapasitanssi @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
SOD-80 Variant
Toimittajalaitteen paketti :
SOD-80 QuadroMELF
Käyttölämpötila - liitos :
175°C (Max)
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Kuumat osat
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08