Infineon Technologies - BAS21E6433HTMA1

KEY Part #: K6458662

BAS21E6433HTMA1 Hinnoittelu (USD) [3658896kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.01110
  • 10,000 pcs$0.01105

Osa numero:
BAS21E6433HTMA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Tehonohjaimen moduulit and Transistorit - erityistarkoitus ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies BAS21E6433HTMA1 electronic components. BAS21E6433HTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS21E6433HTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS21E6433HTMA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : BAS21E6433HTMA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23
Sarja : -
Osan tila : Last Time Buy
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 250mA (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 200mA
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 50ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 100nA @ 200V
Kapasitanssi @ Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajalaitteen paketti : SOT-23-3
Käyttölämpötila - liitos : 150°C (Max)

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode