Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Diskreetti puolijohdetuotteet
  4. Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset
  5. JAN1N1190

Microsemi Corporation - JAN1N1190

KEY Part #: K6443762

JAN1N1190 Hinnoittelu (USD) [1608kpl varastossa]

  • 1 pcs$32.30308
  • 100 pcs$32.14236
Osa numero:
JAN1N1190
Valmistaja:
Microsemi Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB. Rectifiers Rectifier
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Arrays, Tiristorit - TRIACit, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot and Transistorit - FETit, MOSFETit - Single ...
Kilpailuetu:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N1190 electronic components. JAN1N1190 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N1190, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N1190 Tuoteominaisuudet

Osa numero : JAN1N1190
Valmistaja : Microsemi Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Sarja : Military, MIL-PRF-19500/297
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 35A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 110A
Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : -
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 10µA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Chassis, Stud Mount
Paketti / asia : DO-203AB, DO-5, Stud
Toimittajalaitteen paketti : DO-5
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Uusimmat uutiset

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Saatat myös olla kiinnostunut
  • VS-8EWS08S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO252AA. Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-65PQ015PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 15V 65A TO247AC.

  • BAY80-TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35.

  • BAY80-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35.

  • VS-ETX1506FP-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP. Rectifiers 15A 600V Hyperfast 20ns

  • VS-ETL1506FP-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP. Rectifiers 15A 600V Ultrafast 210ns

Kuumat osat