Microsemi Corporation - JAN1N6629US

KEY Part #: K6449553

JAN1N6629US Hinnoittelu (USD) [4373kpl varastossa]

  • 1 pcs$9.95367
  • 100 pcs$9.90415

Osa numero:
JAN1N6629US
Valmistaja:
Microsemi Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B. Rectifiers Rectifier
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - JFET, Diodit - RF, Transistorit - IGBT - Yksittäiset and Transistorit - IGBT - Arrays ...
Kilpailuetu:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6629US electronic components. JAN1N6629US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6629US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N6629US Tuoteominaisuudet

Osa numero : JAN1N6629US
Valmistaja : Microsemi Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B
Sarja : Military, MIL-PRF-19500/590
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 880V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1.4A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 1.4A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 50ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 2µA @ 880V
Kapasitanssi @ Vr, F : 40pF @ 10V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : E-MELF
Toimittajalaitteen paketti : D-5B
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • C4D08120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 7.5A

  • BAT 64 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • BAS 70 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.

  • BAT 54 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS 40 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • BAS 16 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3.