Infineon Technologies - BAR74E6327HTSA1

KEY Part #: K6458673

BAR74E6327HTSA1 Hinnoittelu (USD) [4027624kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.01308
  • 3,000 pcs$0.01301
  • 6,000 pcs$0.01173
  • 15,000 pcs$0.01020
  • 30,000 pcs$0.00918
  • 75,000 pcs$0.00816
  • 150,000 pcs$0.00679

Osa numero:
BAR74E6327HTSA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - JFET, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - Zener - Single, Diodit - RF and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies BAR74E6327HTSA1 electronic components. BAR74E6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAR74E6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAR74E6327HTSA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : BAR74E6327HTSA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3
Sarja : -
Osan tila : Last Time Buy
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 50V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 250mA (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1V @ 100mA
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 4ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 100nA @ 50V
Kapasitanssi @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajalaitteen paketti : SOT-23-3
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode