Microchip Technology - VN10KN3-G-P002

KEY Part #: K6392809

VN10KN3-G-P002 Hinnoittelu (USD) [226992kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.16694
  • 2,000 pcs$0.16611

Osa numero:
VN10KN3-G-P002
Valmistaja:
Microchip Technology
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - IGBT - Arrays, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - Zener - Arrays and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single ...
Kilpailuetu:
We specialize in Microchip Technology VN10KN3-G-P002 electronic components. VN10KN3-G-P002 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VN10KN3-G-P002, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VN10KN3-G-P002 Tuoteominaisuudet

Osa numero : VN10KN3-G-P002
Valmistaja : Microchip Technology
Kuvaus : MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 310mA (Tj)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 60pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 1W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-92-3
Paketti / asia : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Saatat myös olla kiinnostunut