Microchip Technology - TN0106N3-G-P013

KEY Part #: K6392751

TN0106N3-G-P013 Hinnoittelu (USD) [146447kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.25876
  • 2,000 pcs$0.25747

Osa numero:
TN0106N3-G-P013
Valmistaja:
Microchip Technology
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Diodit - Zener - Arrays, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction and Transistorit - FETit, MOSFETit - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Microchip Technology TN0106N3-G-P013 electronic components. TN0106N3-G-P013 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TN0106N3-G-P013, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TN0106N3-G-P013 Tuoteominaisuudet

Osa numero : TN0106N3-G-P013
Valmistaja : Microchip Technology
Kuvaus : MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 350mA (Tj)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 60pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 1W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-92-3
Paketti / asia : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Saatat myös olla kiinnostunut