ON Semiconductor - BS170_J35Z

KEY Part #: K6407628

[907kpl varastossa]


    Osa numero:
    BS170_J35Z
    Valmistaja:
    ON Semiconductor
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Tehonohjaimen moduulit and Diodit - sillan tasasuuntaajat ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in ON Semiconductor BS170_J35Z electronic components. BS170_J35Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BS170_J35Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BS170_J35Z Tuoteominaisuudet

    Osa numero : BS170_J35Z
    Valmistaja : ON Semiconductor
    Kuvaus : MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
    Sarja : -
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 60V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 500mA (Ta)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 200mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Vgs (Max) : ±20V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 40pF @ 10V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 830mW (Ta)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Through Hole
    Toimittajalaitteen paketti : TO-92-3
    Paketti / asia : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • ZVN0124A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

    • ZVNL110ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

    • ZVN4206AVSTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

    • 2N7000-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.

    • BS170_J35Z

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • IRFR220NTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 200V 5A DPAK.