Infineon Technologies - IPD60R600CPBTMA1

KEY Part #: K6404559

[1969kpl varastossa]


    Osa numero:
    IPD60R600CPBTMA1
    Valmistaja:
    Infineon Technologies
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - TRIACit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - JFET, Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - IGBT - Arrays and Diodit - Zener - Arrays ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Infineon Technologies IPD60R600CPBTMA1 electronic components. IPD60R600CPBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD60R600CPBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPD60R600CPBTMA1 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : IPD60R600CPBTMA1
    Valmistaja : Infineon Technologies
    Kuvaus : MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
    Sarja : CoolMOS™
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 600V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 6.1A (Tc)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3.3A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 220µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 100V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 60W (Tc)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Toimittajalaitteen paketti : PG-TO252-3
    Paketti / asia : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • TN0702N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3.

    • AUIRFR9024N

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 11A DPAK.

    • AUIRFS3004

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 340A D2PAK.

    • AUIRFR4620

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 200V 24A DPAK.

    • AUIRFR4615

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 33A DPAK.

    • AUIRFR3806

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.