Microchip Technology - DN2535N3-G-P013

KEY Part #: K6392752

DN2535N3-G-P013 Hinnoittelu (USD) [162137kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.23372
  • 2,000 pcs$0.23255

Osa numero:
DN2535N3-G-P013
Valmistaja:
Microchip Technology
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - IGBT - moduulit, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset and Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var ...
Kilpailuetu:
We specialize in Microchip Technology DN2535N3-G-P013 electronic components. DN2535N3-G-P013 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DN2535N3-G-P013, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DN2535N3-G-P013 Tuoteominaisuudet

Osa numero : DN2535N3-G-P013
Valmistaja : Microchip Technology
Kuvaus : MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 350V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 120mA (Tj)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 Ohm @ 120mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 25V
FET-ominaisuus : Depletion Mode
Tehon hajautus (max) : 1W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-92 (TO-226)
Paketti / asia : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Saatat myös olla kiinnostunut