Diodes Incorporated - BSS123-7-F

KEY Part #: K6418966

BSS123-7-F Hinnoittelu (USD) [1802996kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.02051
  • 3,000 pcs$0.01901

Osa numero:
BSS123-7-F
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - RF, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - IGBT - Arrays and Diodit - Zener - Single ...
Kilpailuetu:
We specialize in Diodes Incorporated BSS123-7-F electronic components. BSS123-7-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS123-7-F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS123-7-F Tuoteominaisuudet

Osa numero : BSS123-7-F
Valmistaja : Diodes Incorporated
Kuvaus : MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 170mA (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 60pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 300mW (Ta)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : SOT-23-3
Paketti / asia : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Saatat myös olla kiinnostunut
  • CPH6350-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 6A CPH6.

  • TK100S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • FQD11P06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.

  • IRFR5505TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.

  • AUIRFR4620TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 200V 24A DPAK.

  • AUIRFR8405TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.