Toshiba Semiconductor and Storage - TK100S04N1L,LQ

KEY Part #: K6418877

TK100S04N1L,LQ Hinnoittelu (USD) [81067kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.51416
  • 2,000 pcs$0.51160

Osa numero:
TK100S04N1L,LQ
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Tiristorit - SCR-moduulit, Diodit - Zener - Arrays and Transistorit - JFET ...
Kilpailuetu:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L,LQ electronic components. TK100S04N1L,LQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK100S04N1L,LQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK100S04N1L,LQ Tuoteominaisuudet

Osa numero : TK100S04N1L,LQ
Valmistaja : Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus : MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Sarja : U-MOSVIII-H
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 100A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 76nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 5490pF @ 10V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 100W (Tc)
Käyttölämpötila : 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : DPAK+
Paketti / asia : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63