IXYS - IXFM10N90

KEY Part #: K6400917

[3231kpl varastossa]


    Osa numero:
    IXFM10N90
    Valmistaja:
    IXYS
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    POWER MOSFET TO-3.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single and Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in IXYS IXFM10N90 electronic components. IXFM10N90 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFM10N90, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFM10N90 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : IXFM10N90
    Valmistaja : IXYS
    Kuvaus : POWER MOSFET TO-3
    Sarja : HiPerFET™
    Osan tila : Last Time Buy
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 900V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 4200pF @ 25V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 300W (Tc)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Through Hole
    Toimittajalaitteen paketti : TO-204AA
    Paketti / asia : TO-204AA, TO-3