Osa numero :
SI5475DC-T1-E3
Valmistaja :
Vishay Siliconix
Kuvaus :
MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
12V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
5.5A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
31 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
450mV @ 1mA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
29nC @ 4.5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Tehon hajautus (max) :
1.3W (Ta)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
1206-8 ChipFET™
Paketti / asia :
8-SMD, Flat Lead