Infineon Technologies - BSB015N04NX3GXUMA1

KEY Part #: K6418382

BSB015N04NX3GXUMA1 Hinnoittelu (USD) [61160kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.63931

Osa numero:
BSB015N04NX3GXUMA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Tiristorit - SCR: t and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies BSB015N04NX3GXUMA1 electronic components. BSB015N04NX3GXUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSB015N04NX3GXUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSB015N04NX3GXUMA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : BSB015N04NX3GXUMA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
Sarja : OptiMOS™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 36A (Ta), 180A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 142nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 12000pF @ 20V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Käyttölämpötila : -40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paketti / asia : 3-WDSON

Saatat myös olla kiinnostunut
  • TK5A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS.

  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.