Infineon Technologies - IPI80CN10N G

KEY Part #: K6407189

[8625kpl varastossa]


    Osa numero:
    IPI80CN10N G
    Valmistaja:
    Infineon Technologies
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - JFET, Transistorit - erityistarkoitus and Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Infineon Technologies IPI80CN10N G electronic components. IPI80CN10N G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI80CN10N G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPI80CN10N G Tuoteominaisuudet

    Osa numero : IPI80CN10N G
    Valmistaja : Infineon Technologies
    Kuvaus : MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
    Sarja : OptiMOS™
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 100V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 13A (Tc)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 13A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 12µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 716pF @ 50V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 31W (Tc)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Asennustyyppi : Through Hole
    Toimittajalaitteen paketti : PG-TO262-3
    Paketti / asia : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • ZVP3310A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3.

    • ZVN4306AV

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

    • ZVN4210A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • IRLR3636PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.

    • SN7002NL6433HTMA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23.

    • SN7002W L6433

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323.