Infineon Technologies - IPB530N15N3GATMA1

KEY Part #: K6419540

IPB530N15N3GATMA1 Hinnoittelu (USD) [117397kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.31506
  • 1,000 pcs$0.28903

Osa numero:
IPB530N15N3GATMA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tehonohjaimen moduulit, Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Diodit - Zener - Single, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies IPB530N15N3GATMA1 electronic components. IPB530N15N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB530N15N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB530N15N3GATMA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IPB530N15N3GATMA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
Sarja : OptiMOS™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 150V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 53 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 887pF @ 75V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 68W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : D²PAK (TO-263AB)
Paketti / asia : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Saatat myös olla kiinnostunut