Osa numero :
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Valmistaja :
Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus :
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
50A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
124nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
6290pF @ 10V
Tehon hajautus (max) :
90W (Tc)
Käyttölämpötila :
175°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
DPAK+
Paketti / asia :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63