Toshiba Semiconductor and Storage - TJ50S06M3L(T6L1,NQ

KEY Part #: K6419537

TJ50S06M3L(T6L1,NQ Hinnoittelu (USD) [117194kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.33644
  • 2,000 pcs$0.33477

Osa numero:
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Tiristorit - SCR-moduulit, Tiristorit - SCR: t, Diodit - sillan tasasuuntaajat and Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var ...
Kilpailuetu:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TJ50S06M3L(T6L1,NQ electronic components. TJ50S06M3L(T6L1,NQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TJ50S06M3L(T6L1,NQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TJ50S06M3L(T6L1,NQ Tuoteominaisuudet

Osa numero : TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Valmistaja : Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus : MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
Sarja : U-MOSVI
Osan tila : Active
FET-tyyppi : P-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 50A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 124nC @ 10V
Vgs (Max) : +10V, -20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 6290pF @ 10V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 90W (Tc)
Käyttölämpötila : 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : DPAK+
Paketti / asia : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Saatat myös olla kiinnostunut