Diodes Incorporated - ZXMN10A11GTA

KEY Part #: K6407572

ZXMN10A11GTA Hinnoittelu (USD) [257918kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.14341
  • 1,000 pcs$0.12877

Osa numero:
ZXMN10A11GTA
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - IGBT - Arrays and Diodit - sillan tasasuuntaajat ...
Kilpailuetu:
We specialize in Diodes Incorporated ZXMN10A11GTA electronic components. ZXMN10A11GTA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN10A11GTA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN10A11GTA Tuoteominaisuudet

Osa numero : ZXMN10A11GTA
Valmistaja : Diodes Incorporated
Kuvaus : MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 1.7A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5.4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 274pF @ 50V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 2W (Ta)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : SOT-223
Paketti / asia : TO-261-4, TO-261AA

Saatat myös olla kiinnostunut
  • ZVN0124A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

  • ZVNL110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVN4206AVSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • 2N7000-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.

  • BS170_J35Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • IRLR8729TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 58A DPAK.