Vishay Siliconix - SIR802DP-T1-GE3

KEY Part #: K6401465

SIR802DP-T1-GE3 Hinnoittelu (USD) [3041kpl varastossa]

  • 3,000 pcs$0.24972

Osa numero:
SIR802DP-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Single, Transistorit - JFET, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - IGBT - moduulit and Transistorit - IGBT - Arrays ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SIR802DP-T1-GE3 electronic components. SIR802DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR802DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR802DP-T1-GE3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SIR802DP-T1-GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Sarja : TrenchFET®
Osan tila : Obsolete
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (Max) : ±12V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1785pF @ 10V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 4.6W (Ta), 27.7W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : PowerPAK® SO-8
Paketti / asia : PowerPAK® SO-8