Infineon Technologies - IRF7807VD1

KEY Part #: K6413568

[13055kpl varastossa]


    Osa numero:
    IRF7807VD1
    Valmistaja:
    Infineon Technologies
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - JFET, Diodit - Zener - Single, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single and Transistorit - FETit, MOSFETit - Single ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Infineon Technologies IRF7807VD1 electronic components. IRF7807VD1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7807VD1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7807VD1 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : IRF7807VD1
    Valmistaja : Infineon Technologies
    Kuvaus : MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
    Sarja : FETKY™
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 8.3A (Ta)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 7A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : ±20V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : -
    FET-ominaisuus : Schottky Diode (Isolated)
    Tehon hajautus (max) : 2.5W (Ta)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Toimittajalaitteen paketti : 8-SO
    Paketti / asia : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • IRF5804TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

    • IRF5805TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP.

    • IRF5800TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.

    • FCD5N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

    • IRFR9N20DTRR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK.

    • IRFR9N20DTR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK.