Vishay Semiconductor Diodes Division - GL41AHE3/96

KEY Part #: K6457737

GL41AHE3/96 Hinnoittelu (USD) [656751kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.05632
  • 6,000 pcs$0.05149

Osa numero:
GL41AHE3/96
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 50 Volt 30 Amp IFSM
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tehonohjaimen moduulit, Tiristorit - SCR-moduulit, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GL41AHE3/96 electronic components. GL41AHE3/96 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GL41AHE3/96, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GL41AHE3/96 Tuoteominaisuudet

Osa numero : GL41AHE3/96
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
Sarja : SUPERECTIFIER®
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 50V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : -
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 10µA @ 50V
Kapasitanssi @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-213AB, MELF (Glass)
Toimittajalaitteen paketti : DO-213AB
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • GL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34DHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34JHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34GHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM