GL41YHE3/97 Hinnoittelu (USD) [656751kpl varastossa]
- 1 pcs$0.05632
- 10,000 pcs$0.04817
- Osa numero:
- GL41YHE3/97
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR: t, Tehonohjaimen moduulit, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Diodit - Zener - Single, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GL41YHE3/97 electronic components. GL41YHE3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GL41YHE3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GL41YHE3/97 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
GL41YHE3/97
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
Sarja :
SUPERECTIFIER®
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
1600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.2V @ 1A
Nopeus :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
-
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
10µA @ 1600V
Kapasitanssi @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
DO-213AB, MELF (Glass)
Toimittajalaitteen paketti :
DO-213AB
Käyttölämpötila - liitos :
-65°C ~ 175°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
GL41YHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
-
GL34BHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
GL34AHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
GL34DHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
GL34JHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
GL34GHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
Kuumat osat
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18