Osa numero :
SI7850DP-T1-E3
Valmistaja :
Vishay Siliconix
Kuvaus :
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
6.2A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
27nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Tehon hajautus (max) :
1.8W (Ta)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
PowerPAK® SO-8
Paketti / asia :
PowerPAK® SO-8