MPG06JHE3_A/53 Hinnoittelu (USD) [741232kpl varastossa]
- 1 pcs$0.04990
- 18,000 pcs$0.04522
- Osa numero:
- MPG06JHE3_A/53
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06. Rectifiers 1A,600V,MINI-PLASTIC RECT.
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tehonohjaimen moduulit, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - sillan tasasuuntaajat and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division MPG06JHE3_A/53 electronic components. MPG06JHE3_A/53 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MPG06JHE3_A/53, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MPG06JHE3_A/53 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
MPG06JHE3_A/53
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06
Sarja :
Automotive, AEC-Q101
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 1A
Nopeus :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
600ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
MPG06, Axial
Toimittajalaitteen paketti :
MPG06
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
BYT79B-600PJ
WeEn Semiconductors
DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK. Rectifiers BYT79B-600PJ/TO263/REEL 13\" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
-
1N914B A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, 100V 0.15A Swtch Diode/Array
-
BAV21 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
C5D10170H
Cree/Wolfspeed
10A 1700V G5 ZREC SIC SCHOTTKY. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1700V, 10A
-
SMMBD330T1G
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC70. Schottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 30V TR
-
NSVBAS16WT3G
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 100V 200MA SC70. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SC70 SWCH DIO 75V TR
Kuumat osat
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08