1N914B A0G Hinnoittelu (USD) [6796615kpl varastossa]
- 1 pcs$0.00544
- Osa numero:
- 1N914B A0G
- Valmistaja:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, 100V 0.15A Swtch Diode/Array
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot and Tiristorit - SCR: t ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation 1N914B A0G electronic components. 1N914B A0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N914B A0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N914B A0G Tuoteominaisuudet
Osa numero :
1N914B A0G
Valmistaja :
Taiwan Semiconductor Corporation
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
100V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
150mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
720mV @ 5mA
Nopeus :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Käänteinen palautumisaika (trr) :
4ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 75V
Kapasitanssi @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
DO-204AH, DO-35, Axial
Toimittajalaitteen paketti :
DO-35
Käyttölämpötila - liitos :
-65°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
BYT79B-600PJ
WeEn Semiconductors
DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK. Rectifiers BYT79B-600PJ/TO263/REEL 13\" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
-
1N914B A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, 100V 0.15A Swtch Diode/Array
-
BAV21 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
C5D10170H
Cree/Wolfspeed
10A 1700V G5 ZREC SIC SCHOTTKY. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1700V, 10A
-
NSVBAS16WT3G
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 100V 200MA SC70. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SC70 SWCH DIO 75V TR
-
SMMBD770T1G
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SC70-3. Schottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 70V TR
Kuumat osat
- VSB3200-M3/51
- D1461S45TXPSA2
- CLLRH-02 TR
- VS-8EWS12STRRPBF
- TVR10GHM3/54
- BYC20DX-600PQ
- VS-10TQ035SPBF
- VS-HFA04SD60STRRP
- RB721Q-40T-72
- CD1607-B120LF
- VS-60CPF04PBF
- IDP23E60
- UGF12JTHE3/45
- HER206-TP
- BY229B-600HE3/45
- S306120
- RU 4B
- EGL34DHE3/98
- GPP15B-E3/54
- RGP5020HE3/73
- BYD13MGP-E3/73
- FFH15S60STU
- V10P10-E3/87A
- BAS5202VE6127XT
- SSC53L-E3/51T
- SB160-E3/51
- BAS21T-7
- VSKE270-08
- PRLL5817,115
- CLL3595 BK
- 1F3-TP
- FESB16DT-E3/81
- FESB8JT-E3/45
- RU 2ZV1
- HS3M R7G
- MURS160HE3_A/I
- RM 1V1
- RB068LAM-40TR
- RBR1MM40ATR
- 1N6483-E3/97