Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-10ETS12-M3

KEY Part #: K6434321

VS-10ETS12-M3 Hinnoittelu (USD) [50733kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.77071
  • 1,000 pcs$0.69506

Osa numero:
VS-10ETS12-M3
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC. Rectifiers New Input Diodes - TO-220-e3
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - JFET, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Diodit - Zener - Single and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-10ETS12-M3 electronic components. VS-10ETS12-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-10ETS12-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-10ETS12-M3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : VS-10ETS12-M3
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 1200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 10A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 10A
Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : -
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 50µA @ 1200V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : TO-220-2
Toimittajalaitteen paketti : TO-220AC
Käyttölämpötila - liitos : -40°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • VS-8EWS12STRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWF10STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWS12SLHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODES - D-PAK-E3. Rectifiers 8A If; 800V,1200V Vr TO-252AA (DPAK)

  • VS-8EWS08STRR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWS08STRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-HFA04SD60SL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3