Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-8EWS12SLHM3

KEY Part #: K6434234

VS-8EWS12SLHM3 Hinnoittelu (USD) [124727kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.29655

Osa numero:
VS-8EWS12SLHM3
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODES - D-PAK-E3. Rectifiers 8A If; 800V,1200V Vr TO-252AA (DPAK)
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - JFET, Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - Zener - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - IGBT - Arrays and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-8EWS12SLHM3 electronic components. VS-8EWS12SLHM3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-8EWS12SLHM3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-8EWS12SLHM3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : VS-8EWS12SLHM3
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODES - D-PAK-E3
Sarja : Automotive, AEC-Q101
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 1200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 8A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 8A
Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : -
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 50µA @ 1200V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajalaitteen paketti : D-PAK (TO-252AA)
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • MMBD4448WT-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 500mA 100V

  • VS-HFA04SD60SHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4 Amp 600 Volt

  • VS-HFA08SD60SL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-8EWS16STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-HFA08SD60SR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-8EWF04STRR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3