ON Semiconductor - FQD4P40TM-AM002

KEY Part #: K6402913

[2540kpl varastossa]


    Osa numero:
    FQD4P40TM-AM002
    Valmistaja:
    ON Semiconductor
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET P-CH 400V 2.7A.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Diodit - Zener - Single, Diodit - RF, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - JFET, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen and Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in ON Semiconductor FQD4P40TM-AM002 electronic components. FQD4P40TM-AM002 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD4P40TM-AM002, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQD4P40TM-AM002 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : FQD4P40TM-AM002
    Valmistaja : ON Semiconductor
    Kuvaus : MOSFET P-CH 400V 2.7A
    Sarja : QFET®
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : P-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 400V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 2.7A (Tc)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.1 Ohm @ 1.35A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 680pF @ 25V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 2.5W (Ta), 50W (Tc)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Toimittajalaitteen paketti : D-Pak
    Paketti / asia : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63