Vishay Siliconix - SI7530DP-T1-E3

KEY Part #: K6524388

[3848kpl varastossa]


    Osa numero:
    SI7530DP-T1-E3
    Valmistaja:
    Vishay Siliconix
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF and Tiristorit - TRIACit ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Vishay Siliconix SI7530DP-T1-E3 electronic components. SI7530DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7530DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7530DP-T1-E3 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : SI7530DP-T1-E3
    Valmistaja : Vishay Siliconix
    Kuvaus : MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
    Sarja : TrenchFET®
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N and P-Channel
    FET-ominaisuus : Logic Level Gate
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 60V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 3A, 3.2A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 4.6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Teho - Max : 1.4W, 1.5W
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Paketti / asia : PowerPAK® SO-8 Dual
    Toimittajalaitteen paketti : PowerPAK® SO-8 Dual