Vishay Siliconix - SQJ260EP-T1_GE3

KEY Part #: K6525238

SQJ260EP-T1_GE3 Hinnoittelu (USD) [144991kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.25510

Osa numero:
SQJ260EP-T1_GE3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Tehonohjaimen moduulit and Tiristorit - TRIACit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ260EP-T1_GE3 electronic components. SQJ260EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ260EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ260EP-T1_GE3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SQJ260EP-T1_GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Sarja : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : 2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus : Standard
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 6A, 10V, 8.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
Teho - Max : 27W (Tc), 48W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : PowerPAK® SO-8 Dual
Toimittajalaitteen paketti : PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

Saatat myös olla kiinnostunut
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY3000NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89.

  • SI6562CDQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP.

  • SP8J65TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC.

  • SQ4917EY-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2 P-CHANNEL 60V 8A 8SO.

  • SP8K2TB

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC.