Vishay Siliconix - SI5504DC-T1-E3

KEY Part #: K6524414

[3839kpl varastossa]


    Osa numero:
    SI5504DC-T1-E3
    Valmistaja:
    Vishay Siliconix
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - TRIACit, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Vishay Siliconix SI5504DC-T1-E3 electronic components. SI5504DC-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5504DC-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI5504DC-T1-E3 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : SI5504DC-T1-E3
    Valmistaja : Vishay Siliconix
    Kuvaus : MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
    Sarja : TrenchFET®
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N and P-Channel
    FET-ominaisuus : Logic Level Gate
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 2.9A, 2.1A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 2.9A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA (Min)
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 10V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Teho - Max : 1.1W
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Paketti / asia : 8-SMD, Flat Lead
    Toimittajalaitteen paketti : 1206-8 ChipFET™