ON Semiconductor - HUF75829D3S

KEY Part #: K6404021

[2155kpl varastossa]


    Osa numero:
    HUF75829D3S
    Valmistaja:
    ON Semiconductor
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Diodit - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - IGBT - Arrays and Transistorit - IGBT - Yksittäiset ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in ON Semiconductor HUF75829D3S electronic components. HUF75829D3S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HUF75829D3S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HUF75829D3S Tuoteominaisuudet

    Osa numero : HUF75829D3S
    Valmistaja : ON Semiconductor
    Kuvaus : MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
    Sarja : UltraFET™
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 150V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 18A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 20V
    Vgs (Max) : ±20V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1080pF @ 25V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 110W (Tc)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Toimittajalaitteen paketti : TO-252AA
    Paketti / asia : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63