LL4148-GS18 Hinnoittelu (USD) [4413469kpl varastossa]
- 1 pcs$0.00838
- 10,000 pcs$0.00789
- 30,000 pcs$0.00710
- 50,000 pcs$0.00631
- 100,000 pcs$0.00592
- 250,000 pcs$0.00526
- Osa numero:
- LL4148-GS18
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 75V 300MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 50 mA
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - IGBT - Arrays, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division LL4148-GS18 electronic components. LL4148-GS18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for LL4148-GS18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
LL4148-GS18 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
LL4148-GS18
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 75V 300MA SOD80
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
75V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
300mA (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1V @ 50mA
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
4ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 75V
Kapasitanssi @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Toimittajalaitteen paketti :
SOD-80 MiniMELF
Käyttölämpötila - liitos :
-65°C ~ 175°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Kuumat osat
- BAT46WJ/DG/B2,115
- D121K20BXPSA1
- SB530-A
- 1N4002-N-0-2-BP
- VS-20TQ035STRLPBF
- RY2A
- VS-HFA16TB120STRRP
- GKR26/14
- DSK10C
- 1N3901
- AS3PGHM3/86A
- BYS459-1500-E3/45
- US1BHE3/61T
- ESH3BHE3/57T
- GP10M-4007E-M3/73
- BYM07-50HE3/98
- MBRB10H60HE3/81
- GI810-E3/54
- FGP10B-E3/54
- BYS10-25HE3/TR3
- EGP50DHE3/73
- CDBA120-G
- FFPF04F150STU
- VS-8TQ080PBF
- SD101CWS-7
- B0540W-7
- 6A8
- 301U80
- B140S1F-7
- CCS15S30,L3QUF
- STPSC40065CWY
- HER104-TP
- 2A06-AP
- UGB8BTHE3/81
- S10CKHM3/I
- ES2FHE3_A/I
- MURS240-E3/5BT
- 1N6484HE3/96
- GP10-4005E-E3/73
- RS3B M6G