VS-180RKI80PBF Hinnoittelu (USD) [1546kpl varastossa]
- 1 pcs$26.68145
- 10 pcs$25.06360
- 25 pcs$24.25524
- 100 pcs$22.47644
- Osa numero:
- VS-180RKI80PBF
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- MOD SCR PH CTRL 800V 180A TO-93. SCRs 180 Amp 800 Volt 285 Amp IT(RMS)
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - IGBT - moduulit, Tehonohjaimen moduulit, Tiristorit - TRIACit and Diodit - Zener - Arrays ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-180RKI80PBF electronic components. VS-180RKI80PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-180RKI80PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-180RKI80PBF Tuoteominaisuudet
Osa numero :
VS-180RKI80PBF
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
MOD SCR PH CTRL 800V 180A TO-93
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Jännite - Pois tila :
800V
Jännite - Gate Trigger (Vgt) (max) :
2.5V
Nykyinen - Gate Trigger (Igt) (max) :
150mA
Jännite - tila (Vtm) (max) :
1.35V
Nykyinen - Päällä (Se (AV)) (Max) :
180A
Nykyinen - tila (se (RMS)) (maks.) :
285A
Nykyinen - pito (Ih) (maks.) :
600mA
Nykyinen - Pois tila (maks.) :
30mA
Nykyinen - Ei rep. 50, 60 Hz (Itsm) :
3800A, 4000A
SCR-tyyppi :
Standard Recovery
Käyttölämpötila :
-40°C ~ 125°C
Asennustyyppi :
Chassis, Stud Mount
Paketti / asia :
TO-209AB, TO-93-4, Stud
Toimittajalaitteen paketti :
TO-209AB (TO-93)
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Kuumat osat
- VS-ST180S20P1
- VS-ST183S04MFN1P
- C152P
- MCR100F-8-TP
- BT155Z-1200TQ
- CPS053-2N878-WN
- CS220-10D
- NSR356
- NSD188
- JAN2N2324U4
- VS-12TTS08STRRPBF
- T72H0648B4DN
- T7SH064074DN
- T72H063564DN
- T72H044854DN
- T72H0448B4DN
- T7SH086024DN
- TYN16X-600RT,127
- S4010RS3
- VS-25TTS12FPPBF
- BT169D-L,112
- BTW67-200
- MCR22-6G
- MCR100-3G
- S6010VS3
- S2008FS21
- P0111MA2AL3
- SK008V
- 10TTS08STRR
- S2006DRP
- S6012V
- S6010V
- 16TTS08STRL
- BT258U-600R,127
- VS-16TTS08STRRPBF
- BT148W-600R,115
- BRX46
- CS218-55PB
- ST3230C16R0
- TS110-7UF