Osa numero :
IPL65R420E6AUMA1
Valmistaja :
Infineon Technologies
Kuvaus :
MOSFET N-CH 4VSON
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
10.1A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
420 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
710pF @ 100V
Tehon hajautus (max) :
83W (Tc)
Käyttölämpötila :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
Thin-Pak (8x8)
Paketti / asia :
4-PowerTSFN