Valmistaja :
Infineon Technologies
Kuvaus :
MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
28V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
11A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
26nC @ 4.5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
1760pF @ 15V
Tehon hajautus (max) :
2.5W (Ta)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
8-SO
Paketti / asia :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)