BAV201-GS18 Hinnoittelu (USD) [3596977kpl varastossa]
- 1 pcs$0.01085
- 10,000 pcs$0.01080
- Osa numero:
- BAV201-GS18
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120 Volt 625mA
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - RF, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Diodit - Zener - Arrays, Tehonohjaimen moduulit, Tiristorit - TRIACit, Tiristorit - SCR: t and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV201-GS18 electronic components. BAV201-GS18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV201-GS18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAV201-GS18 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
BAV201-GS18
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80
Sarja :
Automotive, AEC-Q101
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
100V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
250mA (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1V @ 100mA
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
50ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
100nA @ 100V
Kapasitanssi @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
SOD-80 Variant
Toimittajalaitteen paketti :
SOD-80 QuadroMELF
Käyttölämpötila - liitos :
150°C (Max)
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Kuumat osat
- FES8JT-13HE3/45
- SF10FG-A
- MBR3100VP-G1
- F1842D1600
- R6012625XXYA
- VS-50SQ100G
- GP10A-M3/73
- VSB1545-M3/54
- RU 4
- MSG105
- VS-HFA08TB120SPBF
- GP02-30-E3/73
- STPS20M60ST
- SS3P6-E3/84A
- S1MHE3/61T
- S1DHE3/5AT
- RGP15MHE3/54
- MP805-E3/54
- BYD33GGP-E3/54
- AGP15-600HE3/54
- GP08DHE3/73
- BA159GPHE3/73
- R5100610XXWA
- GL34J-TP
- SBL850
- SIDC01D120H6
- ISL9R460S3ST
- CRS04(TE85L)
- 8TQ080STRR
- 15TQ060STRR
- B560C-13
- RL204-T
- MBR1645H
- RL252M-TP
- ESH2DHE3_A/I
- GF1GHE3/5CA
- GP02-40-E3/54
- RGP02-14E-E3/54
- SE10PJHM3/84A
- BAS29,215