Vishay Siliconix - SI2302DDS-T1-GE3

KEY Part #: K6416173

SI2302DDS-T1-GE3 Hinnoittelu (USD) [602896kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.06135
  • 3,000 pcs$0.05815

Osa numero:
SI2302DDS-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CHAN 20V SOT23.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Diodit - Zener - Arrays and Transistorit - IGBT - Yksittäiset ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SI2302DDS-T1-GE3 electronic components. SI2302DDS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2302DDS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2302DDS-T1-GE3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SI2302DDS-T1-GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CHAN 20V SOT23
Sarja : TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 2.9A (Tj)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 710mW (Ta)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : SOT-23-3 (TO-236)
Paketti / asia : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Saatat myös olla kiinnostunut
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • IRFR5305TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.

  • PSMN4R5-40PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

  • FDG311N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.

  • FDG410NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6.