Osa numero :
IPC020N10L3X1SA1
Valmistaja :
Infineon Technologies
Kuvaus :
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
1A (Tj)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 12µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
Sawn on foil